Керамические подложки на основе нитрида кремния (Si3N4)
Нитрид кремния [Si3N4] - керамика, особенности которой заключается в ее повышенных прочностных характеристиках и повышенной износостойкости, относительно других типов керамических материалов. Поэтому наилучшим образом применяется в структурах, где необходима высокая прочность изделия и его устойчивость к высоким перепадам температур.
Благодаря своим механическим показателям, изделия изготовленные с использованием нитрида кремния, отлично выдерживают условия длительного термоциклирования, ударам, испытания при усиленном трении, а также взаимодействие с агрессивными средами.
Характеристики
|
Свойства |
Материал |
|
|
Si3N4 |
||
|
Цвет |
Серый |
|
|
Объемная плотность |
г/см3 |
≥ 3,20 |
|
Шероховатость шлифованной поверхности (Ra) |
мкм |
— |
|
Шероховатость полированной поверхности (Ra) |
мкм |
Ra 0,05 |
|
Механические характеристики |
||
|
Прочность на изгиб |
МПа |
900 |
|
Прочность на сжатие |
МПа |
2500 |
|
Модуль упругости |
ГПа |
315 |
|
Твердость по Виккерсу |
ГПа |
|
|
Вязкость разрушения |
|
7,5 |
|
Физические характеристики |
||
|
Коэффициент теплового расширения (25-1000°C) |
10 -6 /°C |
3,1 |
|
Теплопроводность (25°C) |
Вт/м∙°K |
19 |
|
Удельная теплоемкость |
Дж/кг*К |
3,1 |
|
Сопротивление тепловому удару |
С |
800 |
|
Максимальная температура эксплуатации |
С |
1400 |
|
Диэлектрическая прочность |
|
15 |
|
Объемное сопротивление (25 С) |
|
≥ 1014 |
|
Диэлектрическая постоянная (1 МГц) |
- |
9,0 - 10,0 |
|
Диэлектрические потери (1МГц, 25°C) |
∙10 -4 |
4 |
|
Технологические характеристики |
||
|
DBC технология |
- |
|
|
Толстопленочная технология |
- |
|
|
Тонкопленочная технология |
|
|
Область применения
Создаваемые платы на основе керамики нитрида или карбида кремния находят свое применение в следующих областях:
-
в качестве изолятора;
-
изготовления запоминающих устройств;
-
производство интегральных схем;
-
более надежная и прочная альтернатива для оксида алюминия (Al2O3);
-
основание для изготовления плат высокомощной электроники;
- подложки для датчиков, электронных приборов, которые эксплуатируются в условиях воздействия агрессивных сред и т.д.