Керамические подложки на основе оксида бериллия (BeO)
Оксид бериллия [BeO] обладает уникальной комбинацией тепловых, электрических, оптических и механических свойств, которые используются для широкого спектра применений: от систем теплового управления и интегрированной электроники до высокотемпературных огнеупорных компонентов и ядерных реакторов. У оксида бериллия нет аналогов среди оксидно-керамических материалов по теплопроводности.
Керамика на основе BeO обладает теплопроводностью, превышающей теплопроводность многих металлов, уступая только меди и серебру. При этом теплопроводность BeO в 10 раз выше, чем у Al2O3, и в 1,5 раза выше, чем у AlN.
Диэлектрическая постоянная ниже, чем у оксида и нитрида алюминия. В связи с чем, BeO является отличным изолятором с объемным сопротивлением порядка 1014...1018 Ом∙см, которое зависит от чистоты материала.
Помимо высокой теплостойкости, ВеО обладает отличной прочностью с высокими значениями удельной жесткости.
Керамика на основе оксида бериллия BeO выпускается согласно ТУ23.43. 10-008-34576770-2017 под торговыми марками ОБК-97 и ОБК-100.
Характеристики
|
Свойства |
Материал |
|
|
BeO |
||
|
Цвет |
белый |
|
|
Объемная плотность |
г/см3 |
≥ 2,85 |
|
Шероховатость шлифованной поверхности (Ra) |
мкм |
— |
|
Шероховатость полированной поверхности (Ra) |
мкм |
- |
|
Механические характеристики |
||
|
Прочность на изгиб |
МПа |
≥ 180 |
|
Физические характеристики |
||
|
Коэффициент теплового расширения (25-1000°C) |
10 -6 /°C |
7,0 ~ 8,5 |
|
Теплопроводность (25°C) |
Вт/м∙°K |
≥ 230 |
|
Удельная теплоемкость |
Дж/кг*К |
- |
|
Сопротивление тепловому удару |
С |
800 |
|
Диэлектрическая прочность |
кВ/мм |
≥ 18 |
|
Объемное сопротивление (25 С) |
Ом∙см |
≥ 1014 |
|
Диэлектрическая постоянная (1 МГц) |
- |
6,5 ~ 7,3 |
|
Диэлектрические потери (1МГц, 25°C) |
∙10 -4 |
≤ 4 |
|
Технологические характеристики |
||
|
DBC технология |
- |
|
|
Толстопленочная технология |
- |
|
|
Тонкопленочная технология |
|
|
Область применения
Подложки на основе оксида бериллия, могут использоваться для следующих целей:
- в качестве плат для радиотехнических устройств, работающих с СВЧ-излучением. Основание для изготовления «ламп бегущей волны»;
- подложки для твердотельных излучателей;
- создание интеграционных микросхем для рентгенотехнических устройств;
- в качестве корпуса для нагревательных элементов;
- подложка для датчиков ионизирующего излучения.