Нитрид кремния (Si3N4)
Нитрид кремния [Si3N4] - керамика, особенность которой заключается в ее повышенных прочностных характеристиках и повышенной износостойкости, относительно других типов керамических материалов. Поэтому наилучшим образом применяется в структурах, где необходима высокая прочность изделия и его устойчивость к высоким перепадам температур.
Благодаря своим механическим показателям, изделия изготовленные с использованием нитрида кремния, отлично выдерживают условия длительного термоциклирования, ударам, испытания при усиленном трении, а также взаимодействие с агрессивными средами.
Характеристики
|
Свойства |
Условия |
Единицы измерения |
Материал |
|
Si3N4 |
|||
|
Цвет |
|
|
серый |
|
Объемная плотность |
|
г/см3 |
≥ 3,20 |
|
Водопоглощение |
— |
% |
0 |
|
|
|
|
|
|
Прочность на изгиб |
|
МПа |
900 |
|
Прочность на сжатие |
|
МПа |
2500 |
|
Модуль упругости |
|
ГПа |
315 |
|
Твердость по Кнупу |
KNOOP 1000 gm5 |
ГПа |
16 |
|
Вязкость разрушения |
|
МПа∙м1/2 |
7,5 |
|
|
|
|
|
|
Коэффициент теплового расширения |
25-1000 °C |
10-6 /°C |
3,1 |
|
Теплопроводность |
— |
Вт/м∙K |
|
|
25 °C |
Вт/м∙K |
19 |
|
|
100 °C |
Вт/м∙K |
|
|
|
|
100 °C |
Дж/кг∙К |
3,1 |
|
Сопротивление тепловому удару |
ΔT |
°C |
800 |
|
Максимальная температура эксплуатации |
|
°C |
1400 |
|
Диэлектрическая постоянная |
1 МГц |
— |
— |
|
Диэлектрические потери |
1 МГц |
∙10-4 |
— |
|
Диэлектрическая прочность |
DC |
кВ/мм |
|
|
Объемное сопротивление |
25 °C |
Ом∙см |
≥ 1014 |
|
300 °C |
Ом∙см |
|
|
|
500 °C |
Ом∙см |
— |
|
|
|
|||
|
Толстая пленка |
нет |
||
|
Тонкая пленка |
|
|
да |
Область применения
-
в качестве изолятора;
-
изготовления запоминающих устройств;
-
производство интегральных схем;
-
более надежная и прочная альтернатива для оксида алюминия (Al2O3);
-
основание для изготовления плат высокомощной электроники;
-
подложки для датчиков, электронных приборов, которые эксплуатируются в условиях воздействия агрессивных сред и т.д.