Оксид бериллия (BeO)
Оксид бериллия [BeO] обладает уникальной комбинацией тепловых, электрических, оптических и механических свойств, которые используются для широкого спектра применений: от систем теплового управления и интегрированной электроники до высокотемпературных огнеупорных компонентов и ядерных реакторов. У оксида бериллия нет аналогов среди оксидно-керамических материалов по теплопроводности.
Керамика на основе BeO обладает теплопроводностью, превышающей теплопроводность многих металлов, уступая только меди и серебру. При этом теплопроводность BeO в 10 раз выше, чем у Al2O3, и в 1,5 раза выше, чем у AlN.
Диэлектрическая постоянная ниже, чем у оксида и нитрида алюминия. В связи с чем, BeO является отличным изолятором с объемным сопротивлением порядка 1014...1018 Ом∙см, которое зависит от чистоты материала.
Помимо высокой теплостойкости, ВеО обладает отличной прочностью с высокими значениями удельной жесткости.
Керамика на основе оксида бериллия BeO выпускается согласно ТУ23.43.10-008-34576770-2017 под торговыми марками ОБК-97 и ОБК-100.
Характеристики
|
Свойства |
Условия |
Единицы измерения |
Значение |
|
Марка материала |
— |
— |
ОБК-100 (BeO 99,5%)
|
|
Цвет |
— |
— |
белый |
|
Кажущаяся плотность |
— |
г/см3 |
≥ 2,85 |
|
Шероховатость необработанной поверхности |
Ra |
мкм |
~ 3,2 |
|
Шероховатость шлифованной поверхности |
Ra |
мкм |
до 0,1 |
|
Прочность на изгиб |
— |
МПа |
≥ 160 |
|
Коэффициент теплового расширения |
25-500°C |
∙10-6 /°C |
от 7,0 до 8,5 |
|
Теплопроводность |
25 °C |
Вт/м∙K |
≥230 |
|
Объемное удельное сопротивление |
25°C |
Ω·см |
≥ 1014 |
|
Диэлектрическая проницаемость |
1 МГц – 10 ГГц |
— |
6,9 ± 0,4 |
|
Диэлектрические потери |
1 МГц, 25°C |
∙10-4 |
≤ 4 |
|
Диэлектрические потери |
10±0,5 ГГц, 25°C |
∙10-4 |
≤ 8 |
|
Диэлектрическая прочность |
DC |
кВ/мм |
≥ 20 |
|
Химическая стойкость |
1:9 HCl | мг/см2 |
≤ 0,3 |
Область применения
-
в качестве плат для радиотехнических устройств, работающих с СВЧ-излучением. Основание для изготовления «ламп бегущей волны»;
-
подложки для твердотельных излучателей;
-
создание интеграционных микросхем для рентгенотехнических устройств;
-
в качестве корпуса для нагревательных элементов;
-
подложка для датчиков ионизирующего излучения.